specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  10A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  18V
• rds på (max) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 900µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (max)
  +22V, -6V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  463 pF @ 800 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  85W (Tc)
• Driftstemperatur
  175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-247
• pakke/etui
  TO-247-3