specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  650 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  45A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  18V, 20V
• rds på (max) @ id, vgs
  72mOhm @ 20A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  3.2V @ 1mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  73 nC @ 20 V
• vgs (max)
  +20V, -5V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  73000 pF @ 400 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  208W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-247 Long Leads
• pakke/etui
  TO-247-3