MT3S111TU,LF

MT3S111TU,LF

Fabrikant

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produktkategori

transistorer - bipolære (bjt) - rf

Beskrivelse

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • transistor type
    NPN
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    6V
  • frekvens - overgang
    10GHz
  • støjtal (db type @ f)
    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • gevinst
    12.5dB
  • effekt - max
    800mW
  • DC strømforstærkning (hfe) (min) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    100mA
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    3-SMD, Flat Lead
  • leverandørens enhedspakke
    UFM

MT3S111TU,LF Anmode om et tilbud

På lager 35363
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.58000
Mål pris:
Total:0.58000