TK6Q65W,S1Q

TK6Q65W,S1Q

Fabrikant

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    DTMOSIV
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    650 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    5.8A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    1.05Ohm @ 2.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 180µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    390 pF @ 300 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    60W (Tc)
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    I-PAK
  • pakke/etui
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

TK6Q65W,S1Q Anmode om et tilbud

På lager 18662
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.13040
Mål pris:
Total:1.13040

Datablad