specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Tray
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  GaNFET (Gallium Nitride)
• dræn til kildespænding (vdss)
  650 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  6.5A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  8V
• rds på (max) @ id, vgs
  312mOhm @ 5A, 8V
• vgs(th) (max) @ id
  2.6V @ 500µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  9.6 nC @ 8 V
• vgs (max)
  ±18V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  760 pF @ 400 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  21W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  3-PQFN (8x8)
• pakke/etui
  3-PowerDFN