specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Bulk
• del status
  Obsolete
• fet type
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet funktion
  GaNFET (Gallium Nitride)
• dræn til kildespænding (vdss)
  600V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  70A (Tc)
• rds på (max) @ id, vgs
  34mOhm @ 30A, 8V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  28nC @ 8V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  2260pF @ 100V
• effekt - max
  470W
• Driftstemperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• pakke/etui
  Module
• leverandørens enhedspakke
  Module