SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    6.9A
  • rds på (max) @ id, vgs
    35mOhm @ 5.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    15nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    530pF @ 15V
  • effekt - max
    2.8W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • leverandørens enhedspakke
    8-SO

SI4936BDY-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 15490
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.38000
Mål pris:
Total:1.38000

Datablad