SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    65mOhm @ 3.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    7nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    220pF @ 15V
  • effekt - max
    3.12W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SMD, Flat Lead
  • leverandørens enhedspakke
    1206-8 ChipFET™

SI5902BDC-T1-E3 Anmode om et tilbud

På lager 15344
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.38000
Mål pris:
Total:1.38000

Datablad