SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET® Gen IV
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    21.5mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    11.5nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    425pF @ 10V
  • effekt - max
    1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® SC-70-6 Dual

SIA938DJT-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 29389
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.70000
Mål pris:
Total:0.70000