SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    35A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    4.5V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    6mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    42 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1700 pF @ 15 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® 1212-8
  • pakke/etui
    PowerPAK® 1212-8

SIS402DN-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 11052
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.98000
Mål pris:
Total:1.98000

Datablad