SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET® Gen IV
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    58.3A (Ta), 210A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    2.5V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    0.92mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    122 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    +12V, -8V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    6450 pF @ 10 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    5W (Ta), 65W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® 1212-8S
  • pakke/etui
    PowerPAK® 1212-8S

SISS80DN-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 12407
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.75000
Mål pris:
Total:1.75000