SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    50 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    50A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    4.5V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    11mOhm @ 45A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    52 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2106 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    75W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    TO-252AA
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQD50N05-11L_GE3 Anmode om et tilbud

På lager 12028
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.81000
Mål pris:
Total:1.81000

Datablad