SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    60V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    30A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    12mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    30nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1600pF @ 25V
  • effekt - max
    48W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® SO-8 Dual

SQJB60EP-T1_GE3 Anmode om et tilbud

På lager 18667
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.13000
Mål pris:
Total:1.13000

Datablad