SUP50020E-GE3

SUP50020E-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    60 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    7.5V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    2.4mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    128 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    -
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    375W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-220AB
  • pakke/etui
    TO-220-3

SUP50020E-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 10665
Antal:
Enhedspris (referencepris):
3.07000
Mål pris:
Total:3.07000

Datablad