specifikationer

• serie
  C2M™
• pakke
  Tube
• del status
  Not For New Designs
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1700 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  20V
• rds på (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 18mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (max)
  +25V, -10V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  520W (Tc)
• Driftstemperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-247-4
• pakke/etui
  TO-247-4