specifikationer

• serie
  Z-FET™
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet funktion
  Silicon Carbide (SiC)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200V (1.2kV)
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds på (max) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  1025nC @ 20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  11700pF @ 600V
• effekt - max
  1660W
• Driftstemperatur
  150°C (TJ)
• monteringstype
  Chassis Mount
• pakke/etui
  Module, Screw Terminals
• leverandørens enhedspakke
  Module