EPC2105

EPC2105

Fabrikant

EPC

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    eGaN®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet funktion
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    80V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    9.5A, 38A
  • rds på (max) @ id, vgs
    14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
  • effekt - max
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    Die
  • leverandørens enhedspakke
    Die

EPC2105 Anmode om et tilbud

På lager 7847
Antal:
Enhedspris (referencepris):
7.14000
Mål pris:
Total:7.14000

Datablad