specifikationer

• serie
  G2R™
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  3300 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  20V
• rds på (max) @ id, vgs
  1.2Ohm @ 2A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  3.5V @ 2mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  21 nC @ 20 V
• vgs (max)
  +20V, -5V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  238 pF @ 1000 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  74W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  TO-263-7
• pakke/etui
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA