BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fet funktion
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • dræn til kildespænding (vdss)
    25V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    19A, 39A
  • rds på (max) @ id, vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1040pF @ 12V
  • effekt - max
    2.5W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-PowerTDFN
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TISON-8

BSG0810NDIATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 12097
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.66000
Mål pris:
Total:2.66000

Datablad