BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    P-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    13.5A (Ta), 40A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    6V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    8.6mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.1V @ 105µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    57.5 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    4785 pF @ 15 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TSDSON-8
  • pakke/etui
    8-PowerTDFN

BSZ086P03NS3EGATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 24755
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.84000
Mål pris:
Total:0.84000

Datablad