BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

DIFFERENTIATED MOSFETS

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    9.5A (Ta), 25A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    5.6nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    800pF @ 15V
  • effekt - max
    1.9W (Ta), 31W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-PowerVDFN
  • leverandørens enhedspakke
    PG-WISON-8

BSZ0910NDXTMA1 Anmode om et tilbud

På lager 15718
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.35000
Mål pris:
Total:1.35000

Datablad