DDB6U75N16W1RB11BOMA1

DDB6U75N16W1RB11BOMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - igbt'er - moduler

Beskrivelse

IGBT MOD 1200V 69A 335W

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • konfiguration
    Three Phase Inverter
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1200 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    69 A
  • effekt - max
    335 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 50A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    1 mA
  • input kapacitans (cies) @ vce
    2.8 nF @ 25 V
  • input
    Standard
  • ntc termistor
    Yes
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C
  • monteringstype
    Chassis Mount
  • pakke/etui
    Module
  • leverandørens enhedspakke
    Module

DDB6U75N16W1RB11BOMA1 Anmode om et tilbud

På lager 2263
Antal:
Enhedspris (referencepris):
37.55542
Mål pris:
Total:37.55542

Datablad