FF6MR12W2M1B11BOMA1

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET MODULE 1200V 200A

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    CoolSiC™+
  • pakke
    Tray
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Silicon Carbide (SiC)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    1200V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    200A (Tj)
  • rds på (max) @ id, vgs
    5.63mOhm @ 200A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id
    5.55V @ 10mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    496nC @ 15V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    14700pF @ 800V
  • effekt - max
    20mW (Tc)
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Chassis Mount
  • pakke/etui
    Module
  • leverandørens enhedspakke
    AG-EASY2BM-2

FF6MR12W2M1B11BOMA1 Anmode om et tilbud

På lager 1008
Antal:
Enhedspris (referencepris):
323.73000
Mål pris:
Total:323.73000