FS100R07N2E4B11BOSA1

FS100R07N2E4B11BOSA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - igbt'er - moduler

Beskrivelse

IGBT MOD 650V 125A 20MW

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • konfiguration
    Three Phase Inverter
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    125 A
  • effekt - max
    20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 100A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    1 mA
  • input kapacitans (cies) @ vce
    6.2 nF @ 25 V
  • input
    Standard
  • ntc termistor
    Yes
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C
  • monteringstype
    Chassis Mount
  • pakke/etui
    Module
  • leverandørens enhedspakke
    Module

FS100R07N2E4B11BOSA1 Anmode om et tilbud

På lager 1347
Antal:
Enhedspris (referencepris):
104.52733
Mål pris:
Total:104.52733

Datablad