IMBG120R350M1HXTMA1

IMBG120R350M1HXTMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    CoolSiC™
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    1.2 kV
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4.7A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    -
  • rds på (max) @ id, vgs
    468mOhm @ 2A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id
    5.7V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    5.9 nC @ 18 V
  • vgs (max)
    +18V, -15V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    196 pF @ 800 V
  • fet funktion
    Standard
  • strømtab (maks.)
    65W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO263-7-12
  • pakke/etui
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

IMBG120R350M1HXTMA1 Anmode om et tilbud

På lager 6941
Antal:
Enhedspris (referencepris):
8.22000
Mål pris:
Total:8.22000