IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pakke
    Tape & Reel (TR)
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    100V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    20A
  • rds på (max) @ id, vgs
    35mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.1V @ 16µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    17.4nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1105pF @ 25V
  • effekt - max
    43W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount, Wettable Flank
  • pakke/etui
    8-PowerVDFN
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TDSON-8-10

IPG20N10S4L35AATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 30849
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.66868
Mål pris:
Total:0.66868

Datablad