IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    100 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    80A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    6V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    7.2mOhm @ 80A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 90µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    68 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    4910 pF @ 50 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    150W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO220-3
  • pakke/etui
    TO-220-3

IPP072N10N3GXKSA1 Anmode om et tilbud

På lager 11243
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.95000
Mål pris:
Total:1.95000

Datablad