IPP60R180P7XKSA1

IPP60R180P7XKSA1

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    CoolMOS™ P7
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    650 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    18A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    180mOhm @ 5.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 280µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1081 pF @ 400 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    72W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO220-3
  • pakke/etui
    TO-220-3

IPP60R180P7XKSA1 Anmode om et tilbud

På lager 12328
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.62000
Mål pris:
Total:2.62000

Datablad