IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF

Fabrikant

IR (Infineon Technologies)

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    HEXFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Not For New Designs
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    9.7A
  • rds på (max) @ id, vgs
    15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.35V @ 25µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    9nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    760pF @ 15V
  • effekt - max
    2W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • leverandørens enhedspakke
    8-SO

IRF8313TRPBF Anmode om et tilbud

På lager 29140
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.71000
Mål pris:
Total:0.71000

Datablad