specifikationer

• serie
  BIMOSFET™
• pakke
  Tube
• del status
  Not For New Designs
• igbt type
  -
• spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
  3600 V
• strøm - samler (ic) (maks.)
  70 A
• strøm - kollektor pulseret (icm)
  220 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• effekt - max
  430 W
• skifte energi
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• input type
  Standard
• portladning
  110 nC
• td (til/fra) ved 25°c
  18ns/238ns
• test tilstand
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• omvendt restitutionstid (trr)
  1.7 µs
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• pakke/etui
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• leverandørens enhedspakke
  TO-268