specifikationer

• serie
  POWER MOS 8™
• pakke
  Tube
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  19A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  10V
• rds på (max) @ id, vgs
  530mOhm @ 14A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 2.5mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  300 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±30V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  9670 pF @ 25 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  545W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Chassis Mount
• leverandørens enhedspakke
  ISOTOP®
• pakke/etui
  SOT-227-4, miniBLOC