A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Fabrikant

NXP Semiconductors

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - rf

Beskrivelse

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • transistor type
    GaN HEMT
  • frekvens
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • gevinst
    16.1dB
  • spænding - test
    48 V
  • nuværende rating (ampere)
    -
  • støjtal
    -
  • strøm - test
    291 mA
  • effekt - output
    180W
  • spænding - nominel
    125 V
  • pakke/etui
    NI-400S-2S
  • leverandørens enhedspakke
    NI-400S-2S

A2G35S200-01SR3 Anmode om et tilbud

På lager 1179
Antal:
Enhedspris (referencepris):
264.51000
Mål pris:
Total:264.51000

Datablad