2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

Fabrikant

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produktkategori

transistorer - jfets

Beskrivelse

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • spænding - nedbrud (v(br)gss)
    -
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30 V
  • strøm - dræn (idss) @ vds (vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • strømafløb (id) - max
    10 mA
  • spænding - cutoff (vgs off) @ id
    180 mV @ 1 µA
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    4pF @ 10V
  • modstand - rds(on)
    200 Ohms
  • effekt - max
    200 mW
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • leverandørens enhedspakke
    3-CP

2SK3666-3-TB-E Anmode om et tilbud

På lager 22190
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.47000
Mål pris:
Total:0.47000

Datablad