FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

Fabrikant

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Last Time Buy
  • igbt type
    NPT and Trench
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1000 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    50 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.9V @ 15V, 60A
  • effekt - max
    156 W
  • skifte energi
    -
  • input type
    Standard
  • portladning
    257 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    34ns/243ns
  • test tilstand
    600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    75 ns
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-3P-3, SC-65-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-3P

FGA50N100BNTD2 Anmode om et tilbud

På lager 7661
Antal:
Enhedspris (referencepris):
7.29000
Mål pris:
Total:7.29000

Datablad