HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Fabrikant

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • igbt type
    NPT
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1200 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    5.3 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.9V @ 15V, 1A
  • effekt - max
    60 W
  • skifte energi
    70µJ (on), 90µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    14 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    15ns/67ns
  • test tilstand
    960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • leverandørens enhedspakke
    TO-252AA

HGTD1N120BNS9A Anmode om et tilbud

På lager 14102
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.51000
Mål pris:
Total:1.51000

Datablad