NXH50C120L2C2ESG

NXH50C120L2C2ESG

Fabrikant

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbt'er - moduler

Beskrivelse

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    -
  • konfiguration
    Three Phase Inverter with Brake
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1200 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    50 A
  • effekt - max
    20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 50A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    250 µA
  • input kapacitans (cies) @ vce
    11.897 nF @ 20 V
  • input
    Three Phase Bridge Rectifier
  • ntc termistor
    Yes
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • leverandørens enhedspakke
    26-DIP

NXH50C120L2C2ESG Anmode om et tilbud

På lager 1824
Antal:
Enhedspris (referencepris):
59.50000
Mål pris:
Total:59.50000