specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Tray
• del status
  Obsolete
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  600 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  17A (Ta)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  10V
• rds på (max) @ id, vgs
  610mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  46 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±30V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  1200 pF @ 30 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  2.5W (Ta), 170W (Tc)
• Driftstemperatur
  150°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-3PB
• pakke/etui
  TO-3P-3, SC-65-3