specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  2 N-Channel (Dual)
• fet funktion
  Logic Level Gate
• dræn til kildespænding (vdss)
  30V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  5.3A
• rds på (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 100µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  21nC @ 10V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  515pF @ 25V
• effekt - max
  2.4W
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• pakke/etui
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• leverandørens enhedspakke
  8-SO