specifikationer

• serie
  SIPMOS®
• pakke
  Bulk
• del status
  Obsolete
• fet type
  P-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  60 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  1.9A (Ta)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  10V
• rds på (max) @ id, vgs
  300mOhm @ 1.9A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  14 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  410 pF @ 25 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  1.8W (Ta)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  PG-SOT223-4
• pakke/etui
  TO-261-4, TO-261AA