BUK652R1-30C,127

BUK652R1-30C,127

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

PFET, 120A I(D), 30V, 0.0035OHM,

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchMOS™
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    4.5V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    2.4mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.8V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    168 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±16V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    10.918 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    263W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-220AB
  • pakke/etui
    TO-220-3

BUK652R1-30C,127 Anmode om et tilbud

På lager 21776
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.96000
Mål pris:
Total:0.96000