specifikationer

• serie
  TrenchMOS™
• pakke
  Tube
• del status
  Obsolete
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  60 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  100A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  5V, 10V
• rds på (max) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 1mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  65 nC @ 5 V
• vgs (max)
  ±10V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  9.71 pF @ 25 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  234W (Tc)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  I2PAK
• pakke/etui
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA