specifikationer

• serie
  NexFET™
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  25 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  -
• rds på (max) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  +16V, -12V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  3.1W (Ta)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  8-VSON-CLIP (5x6)
• pakke/etui
  8-PowerTDFN