DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbt'er - moduler

Beskrivelse

DFXR12P - IGBT MODULE

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • konfiguration
    Three Phase Inverter
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1.2 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    300 A
  • effekt - max
    1.1 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • strøm - kollektorafskæring (maks.)
    15 µA
  • input kapacitans (cies) @ vce
    12.5 nF @ 25 V
  • input
    Standard
  • ntc termistor
    Yes
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C
  • monteringstype
    Chassis Mount
  • pakke/etui
    Module
  • leverandørens enhedspakke
    Module

DF200R12PT4B6BOSA1 Anmode om et tilbud

På lager 1275
Antal:
Enhedspris (referencepris):
166.67000
Mål pris:
Total:166.67000

Datablad