ECH8601M-TL-H

ECH8601M-TL-H

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

N-CHANNEL POWER MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet funktion
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • dræn til kildespænding (vdss)
    24V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    8A (Ta)
  • rds på (max) @ id, vgs
    23mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.3V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    -
  • effekt - max
    -
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SMD, Flat Lead
  • leverandørens enhedspakke
    8-ECH

ECH8601M-TL-H Anmode om et tilbud

På lager 59811
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.17000
Mål pris:
Total:0.17000

Datablad