FD6M043N08

FD6M043N08

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

N-CHANNEL POWER MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    Power-SPM™
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    75V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    65A
  • rds på (max) @ id, vgs
    4.3mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    148nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    6180pF @ 25V
  • effekt - max
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    EPM15
  • leverandørens enhedspakke
    EPM15

FD6M043N08 Anmode om et tilbud

På lager 8421
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.64000
Mål pris:
Total:6.64000

Datablad