FDMD86100

FDMD86100

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    PowerTrench®
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    100V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    10A
  • rds på (max) @ id, vgs
    10.5mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    30nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2060pF @ 50V
  • effekt - max
    2.2W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-PowerWDFN
  • leverandørens enhedspakke
    8-Power 5x6

FDMD86100 Anmode om et tilbud

På lager 13173
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.62000
Mål pris:
Total:1.62000

Datablad