FDU6N50TU

FDU6N50TU

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    UniFET™
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    500 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    6A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    900mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    16.6 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    940 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    89W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    I-PAK
  • pakke/etui
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FDU6N50TU Anmode om et tilbud

På lager 25366
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.41000
Mål pris:
Total:0.41000

Datablad