FW276-TL-2H

FW276-TL-2H

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    450V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    700mA
  • rds på (max) @ id, vgs
    12.1Ohm @ 350mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    3.7nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    55pF @ 20V
  • effekt - max
    1.6W
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • leverandørens enhedspakke
    8-SOIC

FW276-TL-2H Anmode om et tilbud

På lager 27839
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.37000
Mål pris:
Total:0.37000

Datablad