HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

N-CHANNEL IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    600 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    17 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    40 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 3A
  • effekt - max
    70 W
  • skifte energi
    37µJ (on), 25µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    21 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    6ns/73ns
  • test tilstand
    390V, 3A, 50Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    29 ns
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • leverandørens enhedspakke
    TO-263AB

HGT1S3N60A4DS9A Anmode om et tilbud

På lager 12941
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.66000
Mål pris:
Total:1.66000

Datablad