HUF75852G3

HUF75852G3

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    UltraFET™
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    150 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    75A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    16mOhm @ 75A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    480 nC @ 20 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    7.69 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    500W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247-3
  • pakke/etui
    TO-247-3

HUF75852G3 Anmode om et tilbud

På lager 9732
Antal:
Enhedspris (referencepris):
5.67000
Mål pris:
Total:5.67000

Datablad